Los circuitos integrados típicos incluyen circuitos integrados semiconductores tales como Ic bipolar cuyo sustrato es monocristal de silicio y MOS IC (pila de semiconductores de óxido de metal). En esta sección, se discutirá el papel de las películas aislantes en estos circuitos integrados semiconductores desarrollados en la dirección de integración ultra alta (VLSI) y velocidad ultra alta, y lo que se propondrá en el futuro con el desarrollo de ultra-I .SI Tecnología de película de aislamiento.
Los circuitos integrados de semiconductores se forman sobre un sustrato monocristalino con muchos (hasta 10 s elementos / chips) transistores bipolares y transistores MOS. Para realizar sus respectivas funciones, se interconectan con cableado.
En tales circuitos integrados de semiconductores, el uso de películas aislantes se puede clasificar de acuerdo con sus funciones y características requeridas, así como las condiciones propuestas en el proceso de formación de películas, de la siguiente manera:
① Por ejemplo, la película aislante de puerta en un transistor MOS utiliza el fenómeno de interfaz película aislante / semiconductor, logrando así la función de un dispositivo activo;
② En contacto con el dispositivo, como una película de SiOz que cubre la superficie del cristal, las propiedades químicas y eléctricas de la superficie del cristal pueden inactivarse, logrando así el propósito de estabilizar las características del dispositivo;
③ Si la película de SiOz se forma en la superficie del cristal entre los dispositivos, la película aislante (película de óxido de campo) con el propósito de aislar eléctricamente los dispositivos y cablearse entre sí en la superficie;
④ película de aislamiento entre capas para el aislamiento eléctrico entre capas de cableado;
⑤ Una película aislante formada en la superficie de un circuito integrado como película que cubre la superficie con el propósito de proteger el dispositivo desde una perspectiva física y química;
⑥ Se utiliza en tecnología de circuitos integrados y se utiliza como máscara para procesos locales como difusión de impurezas, corrosión y oxidación de la superficie del sustrato.
